N-Channel Power MOSFETs/ 11 A/ 60-100 V The IRF123 is a power MOSFET manufactured by Samsung. Below are the specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 32A  
- **Power Dissipation (PD):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF123 is an N-Channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters due to its low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Voltage Tolerance:** Supports up to 100V drain-source voltage.  
- **Robust Thermal Performance:** Can operate in a wide temperature range.  
- **TO-220 Package:** Provides good heat dissipation.  

This information is based on standard datasheet specifications for the IRF123 MOSFET from Samsung.

N-Channel Power MOSFETs/ 11 A/ 60-100 V