40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF1104 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.004Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF1104 is a high-current, low-on-resistance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- Rugged and reliable design  

These details are based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package