60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF1018EPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IRF1018EPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 84A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 220pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-current, high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF1018EPBF.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF1018EPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 84A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.012Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 220pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF1018EPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  
- TO-220AB package for easy mounting  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package