55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1010ZS is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 84A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.012Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-262 (D²PAK)  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust performance under transient conditions  
- **Applications:** Switching power supplies, motor control, DC-DC converters, and automotive systems  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package