55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF1010ZL is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (Infineon Technologies)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.012Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-262 (D²PAK)  
- **Application:** High-efficiency power switching in DC-DC converters, motor control, and power supplies  
- **Low On-Resistance:** Optimized for minimal conduction losses  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package