55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF1010Z is a power MOSFET manufactured by DKD. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** DKD  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 84A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.012Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Robust and reliable for industrial and automotive applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

These details are based on the manufacturer's provided specifications. For exact performance under specific conditions, refer to the official datasheet.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF1010Z is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.012Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF1010Z is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion in various electronic systems.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Improved dv/dt capability for noise immunity  
- TO-220AB package for easy mounting  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package