55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1010NSTRRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF1010NSTRRPBF  

### **Description:**  
The IRF1010NSTRRPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-performance switching applications. It is part of Infineon's HEXFET® power MOSFET series, offering low on-state resistance and high-speed switching capabilities.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable HEXFET® technology  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching applications.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package