55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1010NS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  

### **IR Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 12mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 42A)  
- **R_DS(on) (Max):** 15mΩ (at V_GS = 4.5V, I_D = 25A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 180pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 16ns  
- **Rise Time (t_r):** 48ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Descriptions:**  
- The IRF1010NS is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- The device is housed in a TO-263 (D2PAK) package, suitable for surface-mount applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Robust and reliable performance in power applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF1010NS.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package