60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1010EZS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
1. **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
2. **Continuous Drain Current (I_D):** 85A (at 25°C)  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
4. **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
5. **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
6. **On-State Resistance (R_DS(on)):** 12mΩ (max at V_GS = 10V)  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
8. **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
9. **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF1010EZS is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications.  
- It features low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-power applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improved ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-262 Package (D²PAK):** Provides efficient thermal performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on Infineon’s official datasheet for the IRF1010EZS.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package