60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1010ESTRLPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IRF).  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-262 (D2PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Capable of handling high power loads.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in demanding conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by standard logic-level signals.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-power switching circuits.  

This MOSFET is designed for efficiency and reliability in power electronics applications.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package