60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1010ES is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.012Ω @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  

### **Description:**  
The IRF1010ES is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **High Current Handling** capability  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and heat dissipation  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package