250V Self-Oscilliating Half-Bridge Hybrid MOSFET and Gate Driver in a 9 Lead SIP w/o #5and8 package The IR51H224 is a power MOSFET module manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET Module  
- **Voltage Rating:** Typically rated for high-voltage applications (specific voltage depends on datasheet)  
- **Current Rating:** High current handling capability  
- **Package Type:** Module (often in a TO-247 or similar power package)  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET (a proprietary IR technology)  
- **RDS(ON):** Low on-resistance for efficient power handling  
- **Gate Charge:** Optimized for fast switching  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications such as motor drives, inverters, and power supplies.  
- Utilizes International Rectifier's HEXFET® technology for improved efficiency and thermal performance.  
- Robust construction for industrial and automotive applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(ON)):** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Suitable for demanding power applications.  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness for transient conditions.  
- **Thermal Performance:** Optimized for heat dissipation in module form.  

For exact voltage, current, and other electrical characteristics, refer to the official IR51H224 datasheet.

250V Self-Oscilliating Half-Bridge Hybrid MOSFET and Gate Driver in a 9 Lead SIP w/o #5and8 package