A full featured and flexible way to implement power solutions for the latest high performance CPUs and ASICs. The IR3087MPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IR3087MPBF  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 1.8mΩ @ V_GS = 10V  
- **R_DS(on) (Max):** 2.3mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (Min) – 2.0V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (Typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7500pF (Typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2000pF (Typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (Typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The IR3087MPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications, including DC-DC converters, motor control, and power switching. It offers low on-state resistance (R_DS(on)) and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability (120A continuous)  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable design  
- Optimized for synchronous rectification  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon's datasheet and product documentation.