XPHASE VR 10.0 Control IC. The Control IC combined with an IR XPhase TM Phase IC provides a full featured and flexible way toimplement a complete VR 10.0 power solution. The IR3081M is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IR3081M  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 75A (continuous at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 3.7mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Gate Charge (Q_g):** 52nC (typical at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- The IR3081M is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) and high current handling capability, making it suitable for switching applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Capability:** Supports high-load applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR datasheet.

XPHASE VR 10.0 Control IC. The Control IC combined with an IR XPhase TM Phase IC provides a full featured and flexible way toimplement a complete VR 10.0 power solution. The IR3081M is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Part Number:**  
- **IR3081M**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Current Handling:** Designed for high-power switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal performance.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.