IR2308S

High Voltage and High Speed power MOSFET and IGBT Half Bridge Driver in a 8-lead SOIC package The IR2308S is a high and low side driver IC manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Specifications:**
- **Output Configuration:** Half-Bridge  
- **Output Current (Source/Sink):** 130mA / 270mA  
- **Rise/Fall Time (Typical):** 120ns / 94ns (with 1000pF load)  
- **Supply Voltage (VCC):** 10V to 20V  
- **Logic Input Voltage (VIH/VIL):** CMOS/TTL compatible  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Dead Time (Typical):** 540ns  
- **Package:** 8-Pin SOIC  

### **Descriptions:**
- The IR2308S is a high-voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver with independent high- and low-side referenced output channels.  
- It is designed for applications requiring high efficiency and reliability in half-bridge or full-bridge configurations.  
- The IC includes a floating channel for bootstrap operation and under-voltage lockout (UVLO) for both high- and low-side drivers.  

### **Features:**
- **Floating Channel Design:** Allows for bootstrap operation up to 600V.  
- **Cross-Conduction Prevention:** Built-in dead time to prevent shoot-through.  
- **Under-Voltage Lockout (UVLO):** Protects against insufficient supply voltage.  
- **CMOS/TTL Compatible Inputs:** Ensures easy interfacing with control circuits.  
- **Matched Propagation Delay:** Minimizes output distortion.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for energy-efficient designs.  

For exact performance characteristics, refer to the official IR2308S datasheet from International Rectifier (now part of Infineon Technologies).

High Voltage and High Speed power MOSFET and IGBT Half Bridge Driver in a 8-lead SOIC package