High Voltage and High Speed power MOSFET and IGBT Half Bridge Driver in a 8-lead SOIC package The IR2308S is a high and low side driver IC manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Specifications:**
- **Output Configuration:** Half-Bridge  
- **Output Current (Source/Sink):** 130mA / 270mA  
- **Rise/Fall Time (Typical):** 120ns / 94ns (with 1000pF load)  
- **Supply Voltage (VCC):** 10V to 20V  
- **Logic Input Voltage (VIH/VIL):** CMOS/TTL compatible  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Dead Time (Typical):** 540ns  
- **Package:** 8-Pin SOIC  

### **Descriptions:**
- The IR2308S is a high-voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver with independent high- and low-side referenced output channels.  
- It is designed for applications requiring high efficiency and reliability in half-bridge or full-bridge configurations.  
- The IC includes a floating channel for bootstrap operation and under-voltage lockout (UVLO) for both high- and low-side drivers.  

### **Features:**
- **Floating Channel Design:** Allows for bootstrap operation up to 600V.  
- **Cross-Conduction Prevention:** Built-in dead time to prevent shoot-through.  
- **Under-Voltage Lockout (UVLO):** Protects against insufficient supply voltage.  
- **CMOS/TTL Compatible Inputs:** Ensures easy interfacing with control circuits.  
- **Matched Propagation Delay:** Minimizes output distortion.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for energy-efficient designs.  

For exact performance characteristics, refer to the official IR2308S datasheet from International Rectifier (now part of Infineon Technologies).

High Voltage and High Speed power MOSFET and IGBT Half Bridge Driver in a 8-lead SOIC package

High Voltage and High Speed power MOSFET and IGBT Half Bridge Driver in a 8-lead SOIC package The IR2308S is a high-speed power MOSFET and IGBT driver manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Output Current (Source/Sink):** 130 mA / 270 mA  
- **Supply Voltage (VCC):** 10V to 20V  
- **Logic Input Voltage (VIN):** 5V TTL/CMOS compatible  
- **Rise/Fall Time (Typical):** 120 ns / 94 ns (with 1,000 pF load)  
- **Propagation Delay (Typical):** 480 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** 8-Pin SOIC  

### **Descriptions:**  
- The IR2308S is a high-voltage, high-speed MOSFET/IGBT driver with independent high- and low-side referenced output channels.  
- It is designed for applications requiring efficient switching of power MOSFETs or IGBTs in half-bridge or full-bridge configurations.  
- The device includes a floating channel for driving high-side N-channel power MOSFETs or IGBTs.  

### **Features:**  
- **Floating Channel for Bootstrap Operation**  
- **Compatible with 3.3V, 5V, and 15V Logic Inputs**  
- **Matched Propagation Delay for Both Channels**  
- **Undervoltage Lockout (UVLO) for Both Channels**  
- **Cross-Conduction Prevention Logic**  
- **High Noise Immunity**  
- **Low Power Consumption**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IR2308S.

High Voltage and High Speed power MOSFET and IGBT Half Bridge Driver in a 8-lead SOIC package

High Voltage and High Speed power MOSFET and IGBT Half Bridge Driver in a 8-lead SOIC package The IR2308S is a high and low side driver IC manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Specifications:**  
- **Output Configuration:** Half-Bridge  
- **Output Current (Source/Sink):** 210mA / 420mA  
- **Rise Time (Typical):** 120ns  
- **Fall Time (Typical):** 60ns  
- **Supply Voltage (VCC):** 10V to 20V  
- **Logic Input Voltage (VIH/VIL):** 2.5V (Min) / 0.8V (Max)  
- **Propagation Delay (Typical):** 120ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** 8-Pin SOIC  

### **Descriptions:**  
- The IR2308S is designed for driving both high-side and low-side N-channel MOSFETs or IGBTs in half-bridge configurations.  
- It features a floating high-side driver for bootstrap operation.  
- Includes under-voltage lockout (UVLO) protection for both high-side and low-side drivers.  

### **Features:**  
- **Independent High and Low Side Driver Outputs**  
- **Matched Propagation Delay for Both Channels**  
- **3.3V, 5V, and 15V Input Logic Compatible**  
- **Cross-Conduction Prevention**  
- **Internal Deadtime Control**  
- **Low Power Consumption**  
- **High Noise Immunity**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IR2308S.

High Voltage and High Speed power MOSFET and IGBT Half Bridge Driver in a 8-lead SOIC package