Dimming Ballast Control, Brown-out Protection, Programmable Preheat Time, 1.8碌s Deadtime in a 16-lead SOIC Narrow package The IR21592STRPBF is a high-voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver from Infineon Technologies.  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Output Configuration:** Half-Bridge  
- **Input Type:** Non-Inverting  
- **High-Side Voltage (Max):** 600V  
- **Driver Type:** Half-Bridge Gate Driver  
- **Peak Output Current:** 210mA (source), 420mA (sink)  
- **Supply Voltage (Vcc):** 10V to 20V  
- **Propagation Delay:** 120ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
The IR21592STRPBF is designed for driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs or IGBTs in a half-bridge configuration. It features a built-in oscillator with programmable frequency and dead time, making it suitable for resonant and hard-switched power converters.  

### **Features:**  
- Integrated 600V half-bridge gate driver  
- Programmable oscillator frequency (50kHz to 1MHz)  
- Adjustable dead time control  
- Under-voltage lockout (UVLO) for both high-side and low-side  
- Matched propagation delays for both channels  
- Low power consumption  
- CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down resistors  
- Lead-free and RoHS compliant  

This driver is commonly used in applications such as switch-mode power supplies (SMPS), motor drives, and induction heating systems.