Half Bridge Driver, HO In Phase with RT, Programmable Oscillating Frequency, 1.2us Deadtime in a 8-lead SOIC package FeaturesProduct SummaryIntegrated 600V half-bridge gate driver•V 600V max.OFFSET15.6V zener clamp on Vcc•True micropower start up•Duty Cycle 50%Tighter initial deadtime control•Low temperature coefficient deadtime•T /T 80/40nsShutdown feature (1/6th Vcc) on C pin r p• TIncreased undervoltage lockout Hysteresis (1V)•V 15.6VLower power level-shifting circuitclamp•Constant LO, HO pulse widths at startup•Lower di/dt gate driver for better noise immunity Deadtime (typ.) 1.2 μs•High side output in phase with RT•Excellent latch immunity on all inputs and outputs•ESD protection on all leads Packages•DescriptionThe IR2154 is an improved version of the popularIR2152 gate driver IC, and incorporates a high voltagehalf-bridge gate driver with a front end oscillator simi-lar to the industry standard CMOS 555 timer.  TheIR2154 provides more functionality and is easier to usethan previous ICs.  A shutdown feature has been de-8 Lead SOIC8 Lead PDIPsigned into the C pin, so that both gate driver outputsTcan be disabled using a low voltage control signal. Inaddition, the gate driver output pulse widths are thesame once the rising undervoltage lockout thresholdTypical Connectionon V has been reached, resulting in a more stableCCprofile of frequency vs time at startup.  Noise immu-nity has been improved significantly, both by lowering600VMAXthe peak di/dt of the gate drivers, and by increasing theundervoltage lockout hysteresis to 1V. Finally, specialVCC VBattention has been payed to maximizing the latchimmunity of the device, and providing comprehensiveHOESD protection on all pins.RT VSCT LOShutdown COMIR2154Absolute Maximum RatingsAbsolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage param-eters are absolute voltages referenced to COM, all currents are defined positive into any lead. The thermal resistanceand power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions. Symbol        Definition Min. Max. UnitsV High side floating supply voltage -0.3 625BV High side floating supply offset voltage V - 25 V + 0.3S B BV High side floating output voltage V - 0.3 V + 0.3HO S BVV Low side output voltage -0.3 V + 0.3LO CCV R pin voltage -0.3 V + 0.3RT T CCV C pin voltage -0.3 V + 0.3CT T CCI Supply current (note 1) — 25CCmAI R pin current -5 5RT TdV /dt Allowable offset voltage slew rate -50 50 V/nssP Maximum power dissipation @ T ≤ +25°C (8 Lead DIP) — 1.0D AW(8 Lead SOIC) — 0.625Rth Thermal resistance, junction to ambient (8 Lead DIP) — 125JA°C/W(8 Lead SOIC) — 200T Junction temperature -55 150JT Storage temperature -55 150 °CST Lead temperature (soldering, 10 seconds) — 300LRecommended Operating ConditionsFor proper operation the device should be used within the recommended conditions. Symbol        Definition Min. Max. UnitsV High side floating supply voltage V - 0.7 VBs CC CLAMPVV Steady state high side floating supply offset voltage -3.0 (note 2) 600SV Supply voltage 10 VCC CLAMPI Supply current (note 3) 5 mACCT Junction temperature -40 125 °CJNote 1: This IC contains a zener clamp structure between the chip V and COM which has a nominal breakdownCCvoltage of 15.6V. Please note that this supply pin should not be driven by a DC, low impedance power sourcegreater than the V specified in the