Half Bridge Driver, LO Out of Phase with RT, Programmable Oscillating Frequency, 1.2us Deadtime in a 8-lead SOIC package The IR2152S is a high-voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver from Infineon Technologies. Here are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Output Current (Source/Sink):** 210 mA / 420 mA  
- **Supply Voltage (VCC):** 10V to 20V  
- **High-Side Floating Supply Voltage (VB):** Up to 600V  
- **Operating Frequency:** Up to 1 MHz  
- **Output Rise/Fall Time (Typical):** 120 ns / 40 ns (with 1nF load)  
- **Propagation Delay (Typical):** 120 ns  
- **Deadtime (Typical):** 1.2 µs  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** 8-Pin SOIC  

### **Descriptions:**  
- The IR2152S is a self-oscillating half-bridge driver IC designed for driving power MOSFETs and IGBTs in high-frequency applications.  
- It integrates a high-side and low-side driver with a built-in oscillator, eliminating the need for an external PWM controller.  
- The device includes a bootstrap diode for high-side drive, simplifying circuit design.  

### **Features:**  
- **Integrated Oscillator:** No external PWM input required.  
- **Bootstrap Operation:** Simplifies high-side drive implementation.  
- **Under-Voltage Lockout (UVLO):** Protects against low supply voltage conditions.  
- **Matched Propagation Delay:** Ensures minimal deadtime distortion.  
- **Floating High-Side Driver:** Supports up to 600V operation.  
- **Low Power Consumption:** Suitable for energy-efficient designs.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IR2152S.