Single High Side Driver, Noninverting Input in a 8-lead SOIC package The IR2117STR is a high-voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver from Infineon Technologies.  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Output Current:** 2.0A (source/sink)  
- **High-Side Voltage:** Up to 600V  
- **Logic Input Voltage:** 3.3V, 5V, and 15V compatible  
- **Propagation Delay:** 120ns (typical)  
- **Rise/Fall Time:** 80ns / 50ns (typical)  
- **Under-Voltage Lockout (UVLO):** Yes (for both high-side and low-side)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
The IR2117STR is a high-voltage gate driver IC designed to drive both high-side and low-side N-channel MOSFETs or IGBTs in a half-bridge configuration. It features independent high- and low-side referenced output channels, making it suitable for applications like motor drives, inverters, and switched-mode power supplies.  

### **Features:**  
- **Floating High-Side Driver:** Supports bootstrap operation for high-side driving.  
- **Matched Propagation Delays:** Ensures minimal dead time in switching applications.  
- **CMOS Schmitt-Triggered Inputs:** Provides high noise immunity.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for efficiency.  
- **Internal Deadtime Control:** Prevents shoot-through in half-bridge configurations.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Single High Side Driver, Noninverting Input in a 8-lead SOIC package