High and Low Side Driver, All High Voltage Pins On One Side, Separate Logic and Power Ground, Shut-Down in a 16-lead SOIC package The IR2113S is a high-voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver from Infineon Technologies. Below are the specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Output Current (Source/Sink):** 2.0 A / 2.0 A  
- **High-Side Voltage (Max):** 600 V  
- **Logic Input Voltage (VDD):** 3.3 V, 5 V, 15 V (compatible with CMOS/TTL levels)  
- **Under-Voltage Lockout (UVLO):** For both high-side and low-side drivers  
- **Propagation Delay:** ~120 ns (typical)  
- **Rise/Fall Time (1000 pF Load):** ~120 ns / 90 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** 16-pin SOIC  

### **Description:**  
The IR2113S is a dual-channel driver designed to control high-side and low-side power MOSFETs or IGBTs in half-bridge or full-bridge configurations. It features independent high- and low-side referenced output channels with matched propagation delays, ensuring precise switching control.  

### **Features:**  
- **Floating High-Side Driver:** Can drive high-side MOSFETs/IGBTs up to 600 V.  
- **Synchronous Drive:** Matched propagation delays for high-side and low-side channels.  
- **CMOS Schmitt-Triggered Inputs:** Enhanced noise immunity.  
- **Low Power Consumption:** Minimizes heat generation.  
- **Integrated Deadtime Control:** Prevents shoot-through in bridge circuits.  
- **Under-Voltage Lockout (UVLO):** Protects against insufficient gate drive voltage.  
- **Cross-Conduction Prevention:** Ensures safe operation in half-bridge applications.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IR2113S. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the manufacturer's documentation.

High and Low Side Driver, All High Voltage Pins On One Side, Separate Logic and Power Ground, Shut-Down in a 16-lead SOIC package