IR2110STR

High and Low Side Driver, All High Voltage Pins On One Side, Separate Logic and Power Ground, Shut-Down in a 16-lead SOIC package The IR2110STR is a high-voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver from Infineon Technologies.  

### **Manufacturer:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR)  

### **Specifications:**  
- **Output Configuration:** High and Low Side  
- **Output Current (Source/Sink):** 2A / 2A  
- **Rise Time (Typical):** 120ns  
- **Fall Time (Typical):** 90ns  
- **Supply Voltage (VDD):** 10V to 20V  
- **Logic Voltage (VSS):** 5V, 15V (compatible with CMOS/TTL)  
- **High-Side Voltage (Max):** 500V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** SOIC-16  

### **Descriptions:**  
- The IR2110STR is a monolithic driver designed to drive high-speed power MOSFETs and IGBTs.  
- It features independent high-side and low-side referenced output channels.  
- Includes a floating channel for high-side drive up to 500V.  
- Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs.  
- Provides undervoltage lockout for both channels.  

### **Features:**  
- **Floating Channel Design:** Allows for bootstrap operation.  
- **CMOS Schmitt-Triggered Inputs:** Ensures noise immunity.  
- **Matched Propagation Delay:** For both high-side and low-side drivers.  
- **Undervoltage Lockout (UVLO):** Protects against insufficient supply voltage.  
- **Cross-Conduction Prevention:** Built-in dead time.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Suitable for harsh environments.  

This information is based on the official datasheet from Infineon Technologies.

High and Low Side Driver, All High Voltage Pins On One Side, Separate Logic and Power Ground, Shut-Down in a 16-lead SOIC package