Half Bridge Driver, Soft Turn-On, Separate High and Low Side Inputs, Fixed 500ns Deadtime in a 8-lead SOIC package The IR2108STR is a high-voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver from Infineon Technologies.  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Output Current:** ±290mA (source/sink)  
- **Supply Voltage (VCC):** 10V to 20V  
- **Floating Section Voltage (VB):** Up to 600V  
- **Logic Input Voltage (VIN):** 3.3V, 5V, and 15V compatible  
- **Propagation Delay:** 120ns (typical)  
- **Dead Time:** 520ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
- The IR2108STR is a high-voltage, high-speed driver for N-channel MOSFETs and IGBTs.  
- It features independent high- and low-side referenced output channels.  
- The device includes a high-voltage level-shifting circuit for driving high-side power switches.  
- It is designed for applications requiring high efficiency and fast switching.  

### **Features:**  
- **High-Side and Low-Side Driver:** Independent outputs for driving high- and low-side MOSFETs/IGBTs.  
- **Undervoltage Lockout (UVLO):** Protects against insufficient supply voltage.  
- **Matched Propagation Delay:** Ensures minimal delay between high- and low-side switching.  
- **3.3V Logic Compatible:** Works with low-voltage control signals.  
- **CMOS Schmitt-Triggered Inputs:** Improved noise immunity.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for efficiency.  

This information is sourced from Infineon's datasheet for the IR2108STR.

Half Bridge Driver, Soft Turn-On, Separate High and Low Side Inputs, Fixed 500ns Deadtime in a 8-lead SOIC package