High and Low Side Driver, Noninverting Inputs in a 8-pin DIP package The IR2101PBF is a high voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver from Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Output Configuration:** Half-Bridge  
- **Input Type:** Non-Inverting  
- **Supply Voltage (Vcc):** 10V to 20V  
- **High-Side Voltage (Vbs):** Up to 600V  
- **Output Current (Source/Sink):** 210mA / 420mA  
- **Rise Time (Typical):** 120ns  
- **Fall Time (Typical):** 90ns  
- **Propagation Delay (Typical):** 520ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** 8-Pin PDIP  

### **Descriptions:**  
- The IR2101PBF is a high-voltage driver IC designed for half-bridge applications.  
- It integrates a high-side and low-side driver with independent inputs for better control.  
- It is suitable for driving both MOSFETs and IGBTs in power conversion applications.  

### **Features:**  
- **Floating Channel Design:** Allows for bootstrap operation for high-side drive.  
- **Undervoltage Lockout (UVLO):** Protects against low supply voltage conditions.  
- **Matched Propagation Delay:** Ensures minimal dead time in switching applications.  
- **Cross-Conduction Prevention:** Prevents shoot-through in half-bridge configurations.  
- **Wide Operating Voltage Range:** Supports 10V to 20V logic-level inputs.  
- **High Noise Immunity:** Robust against switching noise in power circuits.  

This information is sourced from Infineon's official documentation for the IR2101PBF.

High and Low Side Driver, Noninverting Inputs in a 8-pin DIP package