High and Low Side Driver in a 8-Lead SOIC package The IR2011S is a high-speed power MOSFET and IGBT driver manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Output Current (Source/Sink):** 2.0 A / 2.0 A  
- **Supply Voltage (VCC):** 10 V to 20 V  
- **Logic Input Voltage (VIN):** 3.3 V, 5 V, and 15 V compatible  
- **Propagation Delay (tP):** 120 ns (typical)  
- **Rise/Fall Time (tr/tf):** 35 ns / 30 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** 8-lead SOIC  

### **Descriptions:**  
- The IR2011S is a high-voltage, high-speed MOSFET and IGBT driver with independent high- and low-side referenced output channels.  
- It is designed for applications requiring high efficiency and fast switching, such as motor drives, inverters, and power supplies.  
- The device includes a dead-time generator to prevent shoot-through in half-bridge configurations.  

### **Features:**  
- **Independent High- and Low-Side Outputs:** Allows flexible control of MOSFET/IGBT switching.  
- **Floating Channel Design:** Enables driving high-side N-channel MOSFETs/IGBTs in half-bridge configurations.  
- **3.3 V, 5 V, and 15 V Logic Compatible Inputs:** Ensures compatibility with various control circuits.  
- **Undervoltage Lockout (UVLO):** Protects power devices by shutting down outputs if supply voltage is insufficient.  
- **Matched Propagation Delays:** Minimizes dead-time requirements for improved efficiency.  
- **High Noise Immunity:** Reduces false triggering in noisy environments.  

For further details, refer to the official datasheet from International Rectifier (IR).

High and Low Side Driver in a 8-Lead SOIC package