40V 1A Schottky Diode in a Flipky package. Flipky is 1/5 the footprint of a SMA package. The IR140CSPTR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IR140CSPTR  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** DirectFET® (CSP - Chip Scale Package)  

### **Descriptions:**  
The IR140CSPTR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency switching applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** for demanding power applications.  
- **Optimized for high-frequency switching** due to low gate charge.  
- **DirectFET® package** offers improved thermal performance and reduced footprint.  
- **Avalanche rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

This information is based on Infineon's datasheet and product documentation. For detailed application notes or further technical support, refer to the official manufacturer resources.

40V 1A Schottky Diode in a Flipky package. Flipky is 1/5 the footprint of a SMA package.