Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor The IPW60R160C6 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPW60R160C6  
- **Technology:** CoolMOS™ C6 (Superjunction MOSFET)  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600 V  
- **Current Rating (I_D):** 19 A (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 160 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 170 W (at 25°C)  
- **Package:** TO-247  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power conversion applications.  
- Optimized for low switching losses and high thermal performance.  
- Suitable for switch-mode power supplies (SMPS), motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **High Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under extreme conditions.  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Reduces driving losses.  
- **CoolMOS™ C6 Technology:** Delivers superior performance in power conversion.  

This information is based solely on Infineon's official datasheet for the IPW60R160C6.

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor