Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor The **IPW60R099C6** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DS):** 600 V  
- **Current Rating (I_D):** 30 A (at 25°C)  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 99 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W (at 25°C)  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** CoolMOS™ C6 (Superjunction MOSFET)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency switching applications** in power supplies, inverters, and motor drives.  
- Features **low conduction and switching losses** due to CoolMOS™ C6 technology.  
- Suitable for **hard-switching and resonant topologies** like PFC, LLC, and half-bridge converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **High dv/dt capability** for robust operation.  
- **Optimized for high-frequency applications**.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  

This MOSFET is commonly used in **industrial, automotive, and consumer electronics** power systems.  

(Source: Infineon datasheet for IPW60R099C6)

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor