OptiMOS?2 Power-Transistor The **IPU09N03LBG** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 45mΩ (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) – 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 6.5nC (typ) @ V_DS = 15V, V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The **IPU09N03LBG** is a **low-voltage N-Channel MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications.  
- It utilizes **Infineon’s TrenchMOS technology**, which provides low on-state resistance and fast switching performance.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **High current capability** (9A continuous, 36A pulsed).  
- **Avalanche ruggedness** for reliability in harsh conditions.  
- **Optimized for 3.3V and 5V gate drive** applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This information is based solely on the manufacturer’s datasheet and technical documentation.

OptiMOS?2 Power-Transistor

OptiMOS?2 Power-Transistor The IPU09N03LBG is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 2.5 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 60 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0 V (min) to 2.5 V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 5.5 nC (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The IPU09N03LBG is a N-Channel MOSFET optimized for low-voltage switching applications. It is designed using Infineon's TrenchMOS technology, which provides low on-state resistance and high efficiency.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Optimized for DC-DC converters and power management applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon's datasheet and product documentation.

OptiMOS?2 Power-Transistor