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IPU09N03LA from INFINEON

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IPU09N03LA

Manufacturer: INFINEON

Low Voltage MOSFETs

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IPU09N03LA INFINEON 75 In Stock

Description and Introduction

Low Voltage MOSFETs The IPU09N03LA is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 90A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 360A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.5V (typical)  
- **Package:** TO-220  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency in DC-DC converters and motor control.  
- Robust and reliable with a high current-handling capability.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

Low Voltage MOSFETs
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IPU09N03LA LNFINEON 2220 In Stock

Description and Introduction

Low Voltage MOSFETs The IPU09N03LA is a power MOSFET manufactured by LNFINEON. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** LNFINEON  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 36A  
- **Power Dissipation (PD):** 25W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 30mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1-2.5V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The IPU09N03LA is an N-Channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Improved thermal performance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and application guidelines, refer to the official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

Low Voltage MOSFETs

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