IPU09N03LA

Low Voltage MOSFETs The IPU09N03LA is a power MOSFET manufactured by LNFINEON. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** LNFINEON  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 30mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1-2.5V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The IPU09N03LA is an N-Channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Improved thermal performance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and application guidelines, refer to the official documentation.

Low Voltage MOSFETs