OptiMOS Power MOSFET, 30V, TO251, RDSon = 6.8mOhm, 30A, LL The **IPU07N03L** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.07Ω (at V_GS = 10V)  
  - 0.09Ω (at V_GS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8.5nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 380pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The **IPU07N03L** is a low-voltage N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based strictly on the factual details available in Ic-phoenix technical data files.

OptiMOS Power MOSFET, 30V, TO251, RDSon = 6.8mOhm, 30A, LL