IPU06N03LA

Low Voltage MOSFETs The IPU06N03LA is a power MOSFET manufactured by Infineon. Here are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The IPU06N03LA is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-state resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability (60A continuous)  
- Fast switching performance  
- Avalanche ruggedness  
- Suitable for high-efficiency power conversion  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is strictly factual and derived from Ic-phoenix technical data files.

Low Voltage MOSFETs