OptiMOS?2 Power-Transistor The IPSH9N03LAG is a power MOSFET manufactured by LINFINITY. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 45mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 55mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) - 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 7.5nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Applications:** Designed for power management in DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IPSH9N03LAG MOSFET.

OptiMOS?2 Power-Transistor