### **Manufacturer:** INFINEON  
### **Part Number:** IPS09N03LA  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel Logic Level HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.09Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Logic-level gate drive capability  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching speed  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:** TO-220 (Through-hole)  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and other switching applications.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise and updated specifications.)