OptiMOS-P2 Power-Transistor The **IPP80P03P4L-07** is a Power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low on-resistance and high current handling.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

For detailed datasheet information, refer to Infineon's official documentation.

OptiMOS-P2 Power-Transistor