OptiMOS? Power-Transistor The **IPP80N08S2L-07** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPP80N08S2L-07  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320 A  
- **R_DS(on) (Max):** 7.0 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low conduction losses due to low R_DS(on).  
- Suitable for automotive, industrial, and power management applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in switching circuits.  
- **Avalanche Rated:** Robust against high-energy transients.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with lower gate drive voltages.  

This information is strictly based on Infineon's datasheet for the **IPP80N08S2L-07** MOSFET.

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