OptiMOS? Power-Transistor The **IPP80N04S2-H4** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Technology:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-220  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 100nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for automotive, industrial, and power management applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for improved efficiency.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, and power supplies**.  

(Note: Always refer to the official **Infineon datasheet** for precise technical details.)

OptiMOS? Power-Transistor