Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor The **IPP60R600C6** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPP60R600C6  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ C6 (Superjunction)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 48 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 600 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 7 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**
- The **IPP60R600C6** is a high-voltage **N-Channel MOSFET** optimized for **switching applications** in power supplies, lighting, and industrial systems.  
- It is part of Infineon’s **CoolMOS™ C6** series, which offers **low conduction and switching losses** for improved efficiency.  
- The **Superjunction technology** enables high power density and thermal performance.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability (600 V)**  
- **Low On-Resistance (600 mΩ max)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for reduced switching losses  
- **High dv/dt Robustness**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Lead-Free, RoHS Compliant**  

This information is based on Infineon’s official datasheet for the **IPP60R600C6**. For detailed application notes and test conditions, refer to the manufacturer’s documentation.

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor