Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor The **IPP60R280C6** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPP60R280C6  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ C6  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 280 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28 nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 65 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 12 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**
- **CoolMOS™ C6 Technology:** Provides high efficiency and robustness for power applications.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Performance:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating:** Suitable for industrial and automotive applications.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in harsh conditions.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in **switched-mode power supplies (SMPS), motor control, lighting, and other high-voltage applications**.  

(Note: Always refer to the official **Infineon datasheet** for precise and updated specifications.)

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor