CoolMOSTM Power Transistor The **IPP50R199CP** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** Power MOSFET (N-channel)  
- **Technology:** CoolMOS™ C7  
- **Package:** TO-220  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12.5 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 50 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 199 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28 nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power conversion** applications.  
- Utilizes **CoolMOS™ C7 technology**, offering **low conduction and switching losses**.  
- **Optimized for hard-switching topologies** (e.g., PFC, SMPS, inverters).  
- **Low gate charge (Q_g)** for improved switching performance.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Fast switching capability** for high-frequency applications.  
- **TO-220 package** for easy mounting and thermal management.  

This MOSFET is commonly used in **switched-mode power supplies (SMPS), power factor correction (PFC), and motor control circuits**.  

(Note: Always refer to the official **Infineon datasheet** for precise and updated specifications.)

CoolMOSTM Power Transistor