OptiMOSTM3 Power-Transistor The **IPP200N25N3G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 250V  
- **Current Rating (I_D):** 200A (at 25°C)  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 3.0 mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5V (typical)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 830W (at 25°C)  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** OptiMOS™ 5  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for industrial, automotive, and power supply applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 200A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Rated:** Robust against transient voltage spikes.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

For detailed datasheets, refer to **Infineon’s official documentation**.

OptiMOSTM3 Power-Transistor