**Part Number:** IPP200N15N3G  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 200 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 800 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 625 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 170 nC  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The IPP200N15N3G is a high-performance N-Channel MOSFET from Infineon's OptiMOS™ 3 family, designed for high-power applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for switching and power management in industrial, automotive, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 200 A continuous current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Robust Design:** High thermal performance and reliability.  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness for demanding conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is ideal for applications such as motor control, DC-DC converters, and power supplies.