OptiMOS?2 Power-Transistor Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) The IPP16CN10NG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPP16CN10NG  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 0.19Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** OptiMOS™ power MOSFET  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power applications  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Robustness in inductive load conditions  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching circuits.  

This information is based solely on Infineon's datasheet and product documentation.

OptiMOS?2 Power-Transistor Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

OptiMOS?2 Power-Transistor Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) The part **IPP16CN10NG** is manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPP16CN10NG  
- **Transistor Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.16Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Package:** TO-220  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Optimized for low conduction losses due to low R_DS(on).  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliable performance in harsh conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other switching applications.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **IPP16CN10NG** MOSFET.

OptiMOS?2 Power-Transistor Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)