OptiMOS?2 Power-Transistor Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) The IPP16CN10N is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.16 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2 V (min), 4 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The IPP16CN10N is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Robust and reliable performance  
- Suitable for industrial and automotive applications  

This information is based on Infineon's datasheet and technical documentation for the IPP16CN10N MOSFET.

OptiMOS?2 Power-Transistor Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)