**Part Number:** IPP14N03LA  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 42 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0 V to 2.5 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 13 nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures high efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control circuits.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based on Infineon's datasheet for the IPP14N03LA MOSFET.