OptiMOS3 Power-Transistor The **IPP139N08N3 G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 139 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 556 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 375 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.9 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120 nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110 pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances thermal performance and efficiency.  
- **Fast Switching:** Improves system efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Ensures robustness under harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **IPP139N08N3 G** MOSFET. For detailed application notes, refer to the manufacturer's documentation.

OptiMOS3 Power-Transistor