OptiMOS?2 Power-Transistor The IPP12CN10N is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPP12CN10N  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ N10  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 320 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15 pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power conversion applications.  
- Utilizes Infineon’s CoolMOS™ N10 technology for low conduction and switching losses.  
- Suitable for use in SMPS (Switched-Mode Power Supplies), motor control, and DC-DC converters.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) ensures minimal power dissipation.  
- Robust and reliable performance in high-voltage applications.  
- TO-220 package provides good thermal dissipation.  

For detailed datasheet information, refer to Infineon’s official documentation.

OptiMOS?2 Power-Transistor