OptiMOS Power MOSFET, 30V, TO-220, RDSon = 9.2mOhm, 73A, LL The **IPP10N03L** is an N-channel MOSFET manufactured by **Infineon**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40 A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 36 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0 V to 3.0 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8 nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The **IPP10N03L** is a **logic-level** N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low-voltage, high-current applications, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery-powered systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven directly by 5V or 3.3V logic circuits.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the **IPP10N03L**.

OptiMOS Power MOSFET, 30V, TO-220, RDSon = 9.2mOhm, 73A, LL