IPP09N03LA

Low Voltage MOSFETs The IPP09N03LA is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 10nC (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The IPP09N03LA is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching capability for improved efficiency.  
- High current handling in a compact DPAK package.  
- Robust thermal performance with a power dissipation rating of 40W.  

For detailed datasheet information, refer to Infineon's official documentation.

Low Voltage MOSFETs