**Part Number:** IPP08CNE8NG  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Voltage Rating (VDS):** 80 V  
- **Current Rating (ID):** 80 A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 8 mΩ (max) at VGS = 10 V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2.5 V (typ)  
- **Power Dissipation (PD):** 200 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

**Descriptions:**  
The IPP08CNE8NG is a high-performance N-Channel MOSFET from Infineon’s OptiMOS™ family, designed for efficient power switching applications. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

**Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Optimized for high efficiency and thermal performance  
- Robust and reliable design for demanding applications  
- Lead-free and RoHS compliant