OptiMOS?2 Power-Transistor The IPP06CNE8NG is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
1. **Manufacturer:** Infineon Technologies  
2. **Part Number:** IPP06CNE8NG  
3. **Type:** N-Channel Power MOSFET  
4. **Technology:** OptiMOS™  
5. **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60 V  
6. **Continuous Drain Current (I_D):** 60 A  
7. **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240 A  
8. **R_DS(on) (Max):** 6.0 mΩ @ V_GS = 10 V  
9. **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
10. **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
11. **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
12. **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-state resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for fast switching performance.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer applications.  
- RoHS compliant and halogen-free.  
- High current capability with robust thermal performance.  

This information is based solely on the provided knowledge base.

OptiMOS?2 Power-Transistor